收藏本站
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Single
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
Return to Index
Return to Index
Document Number: 72599
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
15
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIR800DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
SIR802DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
SIR826DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK
SIR844DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
SIR846ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 60A SO8
SIR850DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 30A PPAK 8SOIC
SIR862DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 8-SOIC
SIR878ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 40A POWERPAK
相关代理商/技术参数
SIR770DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SIR770DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 8A/8A DUAL N-CH MOSFET w/Shottky RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR774DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SiR774DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 40 Amps 62.5 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR788DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SiR798DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIR800DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SIR800DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 50A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube